解释 NiO 薄膜中单极记忆与阈值电阻切换的渗流模型
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
我们在 NiO 薄膜中观察到两种类型的单极电阻切换（RS）：低温下的记忆 RS 和高温下的阈值 RS。我们利用描述导电细丝形成与断裂的键渗流模型来解释这些现象。假设键中存在焦耳加热和热耗散过程，我们解释了这两种 RS 类型如何发生并受温度控制。我们表明，这些单极 RS 密切相关，可以用一个简单的统一渗流图像来解释。
引用
@article{arxiv.0803.4258,
title = {Percolation Model Explaining Both Unipolar Memory and Threshold Resistance Switchings in NiO Film},
author = {S. H. Chang and J. S. Lee and S. C. Chae and S. B. Lee and C. Liu and B. Kahng and D. -W. Kim and T. W. Noh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.4258},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 5 figures