阻变存储器中的临界温度区域

L. Chen; P. Zhou; Q. Q. Sun; S. J. Ding; A. Q. Jiang; D. W. Zhang

阻变存储器中的临界温度区域

介观与纳米尺度物理 2012-08-07 v2

作者: L. Chen , P. Zhou , Q. Q. Sun , S. J. Ding , A. Q. Jiang , D. W. Zhang

摘要

基于HfAlO阻变存储器，发现了阻变现象的临界温度区域。在5 K至300 K的温度范围内，阻变现象在60 K时出现，随后在150 K以上观察到两个态之间的可逆双极型阻变。这表明二元过渡金属氧化物的阻变特性受热辅助逾渗导电通道所支配。在假设不同温度下内部导电细丝产生相同焦耳热的前提下，外电场作用下的电荷俘获/去俘获过程起主导作用。

关键词

阻变临界温度 HfAlO 逾渗导电通道电荷俘获/去俘获过渡金属氧化物双极型开关

引用

@article{arxiv.1110.2844,
  title  = {The critical temperature regions in resistive switching},
  author = {L. Chen and P. Zhou and Q. Q. Sun and S. J. Ding and A. Q. Jiang and D. W. Zhang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1110.2844},
  year   = {2012}
}

备注

This paper has been withdrawn by the author due to a crucial sign error in equation 1

阻变存储器中的临界温度区域

摘要

关键词

引用

备注

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