SmB6 的低温电阻研究：二维变程跳跃电导的观测
强关联电子
2017-09-08 v1
摘要
我们研究了单晶 SmB6 样品的电阻，重点关注“低温电阻平台”区域。我们的观测显示，在低于 3 K 至 70 mK 的温度范围内，电阻并未出现任何真正的饱和。根据我们的发现，在 70 mK 以上的某一温度区间内，电导的温度依赖性可分解为一个与温度无关的项和一项温度激活项，后者可用二维系统的变程跳跃公式 exp[-T0/T)^1/3] 描述。因此，我们的结果表明了跳跃型电输运在 SmB6 近表面区域的重要性。
引用
@article{arxiv.1709.01990,
title = {Low temperature resistivity studies of SmB6: Observation of twodimensional variable-range hopping conductivity},
author = {Marianna Batkova and Ivan Batko and Slavomir Gabani and Emil Gazo and Elena Konovalova and Vladimir Filippov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01990},
year = {2017}
}
备注
accepted at Physica B