1T/1T$^{\prime}$-MoS$_{2}$中的Efros-Shklovskii变程跳跃与非线性输运
介观与纳米尺度物理
2018-01-17 v1
摘要
我们研究了经正丁基锂处理的MoS单 flakes 中与温度和电场相关的载流子输运。四端电阻的温度依赖性遵循Efros-Shklovskii变程跳跃导电机制。根据欧姆与非欧姆区间的测量，我们估算了载流子的局域化长度和平均跳跃长度，以及有效介电常数。此外，两端与四端测量的比较给出了随温度降低而显著增大的接触电阻。
引用
@article{arxiv.1801.05157,
title = {Efros-Shklovskii variable range hopping and nonlinear transport in 1T/1T$^{\prime}$-MoS$_{2}$},
author = {Nikos Papadopoulos and Gary A. Steele and Herre S. J. van der Zant},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.05157},
year = {2018}
}