外延CsSnBr$_{3}$中的相干跳跃输运与巨负磁阻
介观与纳米尺度物理
2021-08-02 v2
摘要
单晶无机卤化物钙钛矿正因量子器件应用而受到关注。本文给出外延单晶CsSnBr薄膜器件的低温量子磁输运测量，其表现出二维Mott变程跳跃（VRH）与巨负磁阻。这些发现由不同定向跳跃路径间量子干涉模型描述，我们提取了电荷载流子的温度依赖跳跃长度、其局域化长度，以及低温下约100 nm的相位相干长度下限。这些观察表明，外延卤化物钙钛矿器件正成为一类用于低维量子相干输运器件的材料。
引用
@article{arxiv.2103.15944,
title = {Coherent Hopping Transport and Giant Negative Magnetoresistance in Epitaxial CsSnBr$_{3}$},
author = {Liangji Zhang and Isaac King and Kostyantyn Nasyedkin and Pei Chen and Brian Skinner and Richard R. Lunt and Johannes Pollanen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.15944},
year = {2021}
}
备注
11 pages (main manuscript + SI), 12 figures (5 in manuscript, 7 in SI)