薄层黑磷中由电离杂质散射限制的温度依赖各向异性电荷载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2017-05-03 v1
摘要
本文从理论层面探究了有限温度下黑磷中各向异性电荷载流子输运受电离杂质散射限制的情形。各向异性的电子结构进入了极化率（屏蔽）、动量弛豫时间与迁移率的计算中。在有限温度下，散射不限于费米面，且极化率具有温度依赖性。我们详细研究了屏蔽的影响及其对载流子密度和温度的依赖关系。与热激发效应竞争，发现对于 T<100K，极化率的温度依赖性占主导。结果，电荷载流子迁移率随温度升高而缓慢下降。迁移率的弱温度依赖性及其 1.9-3.2 的各向异性比与已发表的实验数据相符。
引用
@article{arxiv.1702.03494,
title = {Temperature dependent anisotropic charge carrier mobility limited by ionized impurity scattering in thin-layer black phosphorus},
author = {Yue Liu and P. Paul Ruden},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03494},
year = {2017}
}