双层石墨烯中屏蔽诱导的有限温度输运

Min Lv; Shaolong Wan

doi:10.1103/PhysRevB.81.195409

双层石墨烯中屏蔽诱导的有限温度输运

介观与纳米尺度物理 2010-05-18 v1

作者: Min Lv , Shaolong Wan

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们在无规相近似下计算了受库仑杂质散射影响的双层石墨烯(BLG)随温度变化的载流子输运。我们发现，在零动量转移时极化率等于态密度，而在任意温度下，大动量转移时极化率会增强 $\log{4}$ 倍。由强背向散射引起的静态极化率在 $q=2k_F$ 处的尖锐尖峰，会随温度升高而被平滑。我们还得到了BLG在低温和高温下电导率的渐近行为，发现随着温度升高，它从类似二维电子气(2DEG)的线性温度金属行为，转变为类似单层石墨烯(SLG)的二次方温度绝缘行为。

关键词

双层石墨烯库仑杂质散射无规相近似静态极化率温度依赖的电导率

引用

@article{arxiv.0912.0799,
  title  = {Screening-Induced Transport at Finite Temperature in Bilayer Graphene},
  author = {Min Lv and Shaolong Wan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0799},
  year   = {2010}
}

备注

18 pages, 11 figures

相关论文

查看更多相关论文 →