SiO$_2$ 上多层 MoS$_2$ 场效应晶体管的本征载流子迁移率

N. R. Pradhan; D. Rhodes; Q. Zhang; S. Talapatra; M. Terrones; P. M. Ajayan; L. Balicas

doi:10.1063/1.4799172

SiO$_2$ 上多层 MoS$_2$ 场效应晶体管的本征载流子迁移率

介观与纳米尺度物理 2015-06-12 v4 其他凝聚态物理

作者: N. R. Pradhan , D. Rhodes , Q. Zhang , S. Talapatra , M. Terrones , P. M. Ajayan , L. Balicas

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

通过在四端结构中制备和表征基于多层 MoS $_2$ 的场效应晶体管（FETs），我们证明由于接触处的 Schottky 势垒，两端结构倾向于低估载流子迁移率 $\mu$ 。对于背栅两端结构，我们观察到高达 125 cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$ 的迁移率，这明显小于在同一器件中使用四端结构提取的 306.5 cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$ 。这表明 SiO $_2$ 上 MoS $_2$ 的本征迁移率显著大于先前报道的值，并提供了一种评估通过接触的电荷传输的定量方法。

关键词

MoS2 场效应晶体管载流子迁移率 Schottky 势垒四端结构

引用

@article{arxiv.1301.2813,
  title  = {Intrinsic carrier mobility of multi-layered MoS$_2$ field-effect transistors on SiO$_2$},
  author = {N. R. Pradhan and D. Rhodes and Q. Zhang and S. Talapatra and M. Terrones and P. M. Ajayan and L. Balicas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2813},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 5 figures, typos fixed, and references updated

SiO$_2$ 上多层 MoS$_2$ 场效应晶体管的本征载流子迁移率

摘要

关键词

引用

备注

相关论文