积累型二维场效应晶体管：工作机制与厚度缩放规律
材料科学
2018-10-01 v1
摘要
理解基于二维(2D)材料的场效应晶体管(FET)的工作模式是电子学与物理学研究中最基本的问题之一。现有的用于具有全局背栅和金属接触的器件的肖特基势垒-FET模型过度强调了金属-2D接触效应，且该模型无法解释广泛观察到的残余电导。本文基于具有金属接触、沟道厚度为 0.65~118 nm 的局部顶栅 MoS2 FET，建立了直接揭示2D沟道输运特性的积累型FET模型。通过精心执行的电容测量验证并阐明了积累型FET的工作机制。观察到耗尽电容-量子电容转变。在对 MoS2 积累型FET进行分析后，我们确认大多数2D-FET表现出积累型行为。进而提出了2D-FET的通用厚度缩放规律，为未来二维材料研究提供指导。
引用
@article{arxiv.1809.10807,
title = {Accumulation-mode two-dimensional field-effect transistor: Operation mechanism and thickness scaling rule},
author = {Nan Fang and Kosuke Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10807},
year = {2018}
}