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量子霍尔平台跃迁中的标度行为和变程跳跃电导

介观与纳米尺度物理 2009-11-13 v1 强关联电子

作者: Tao Tu , Yong-Jie Zhao , Guo-Ping Guo , Xiao-Jie Hao , Guang-Can Guo

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摘要

我们测量了量子霍尔平台跃迁区域中二维电子系统纵向电阻率 $\rho_{xx}$ 的温度依赖性。我们提取了 $\rho_{xx}$ 标度函数的定量形式，并将其与普通标度理论和基于变程跳跃的理论结果进行了比较。我们发现，这两种理论上提出的标度函数在不同区域均有效。

关键词

量子霍尔平台跃迁标度行为变程跳跃纵向电阻率二维电子系统

引用

@article{arxiv.cond-mat/0703711,
  title  = {Scaling Behavior and Variable Hopping Conductivity in the Quantum Hall Plateau Transition},
  author = {Tao Tu and Yong-Jie Zhao and Guo-Ping Guo and Xiao-Jie Hao and Guang-Can Guo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703711},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 4 figures