量子霍尔区中平台-绝缘体量子相变的探测
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们报告了在低迁移率In_{.53}Ga_{.47}As/InP异质结构中的平台-绝缘体转变的量子霍尔实验。纵向电阻的数据遵循指数定律,我们提取了临界指数,这与已确立的平台转变值略有不同。在修正了导致临界电导轻微依赖温度的非均匀性效应后,我们的数据表明平台-平台和平台-绝缘体转变属于同一普适类。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812035,
title = {Probing the plateau-insulator quantum phase transition in the quantum Hall regime},
author = {R. T. F. van Schaijk and A. de Visser and S. Olsthoorn and H. P. Wei and A. M. M. Pruisken},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812035},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures (.eps)