隧结界面氧化态
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1 强关联电子
摘要
我们表明，在沉积 chamber 中的常规 1E-7 torr 基准压力下，X射线光电子能谱显示出 Nb/Al 界面存在薄 AlOx 层，出现于两种 Nb/Al-AlOx/Pb 隧结和 Nb/Al 双层结构中。这源于 Nb 与 Al 底层沉积之间所经过的时间，即使在 100 秒这样短的时间后也如此。我们还给出了对顶部 Pb 电极在 Nb 电极表面氧化的直接证据。这种氧化可能发生在隧结中中间 Al-AlOx 层的孔隙处，作为 Nb/Al 界面氧化状态的结果。因此，我们建议在磁性隧结器件中应严格控制基准压力以及层间沉积间隔时间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106375,
title = {Evidence for a Quantum Hall Insulator in an InGaAs/InP Heterostructure},
author = {D. T. N. de Lang and L. A. Ponomarenko and A. de Visser and C. Possanzini and S. M. Olsthoorn and A. M. M. Pruisken},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106375},
year = {2009}
}
备注
3pages, 2 figures; submitted to EP2DS-14 conference proceedings