量子霍尔体系中平台-绝缘体相变的量子临界行为

高场磁输运实验为研究整数量子霍尔效应中的平台-绝缘体相变提供了极佳的工具。在此，我们回顾了近年来在多个InGaAs/InP异质结构和InGaAs/GaAs量子阱上进行的低温高场磁输运研究。我们发现，在临界填充因子$\nu_{c}$ ~ 0.5附近的纵向电阻率$\rho_{xx}$遵循普适标度律$\rho_{xx}(\nu, T) \propto exp[-\Delta \nu/(T/T_{0})^{\kappa}]$，其中$\Delta \nu =\nu -\nu_{c}$。临界指数$\kappa$等于$0.56 \pm 0.02$，这表明平台-绝缘体相变属于非费米液体普适类。