扩散弯曲量子霍尔结强绝缘态中的跳跃导电

对整数填充因子下弯曲量子霍尔结的输运研究表明，在高场下存在强绝缘态。本文分析了该强绝缘行为随温度 $T$ 和直流偏压 $V$ 的变化，以对导致绝缘态的局域化机制进行分类。温度依赖性表明，存在从高温下的激活最近邻跳跃到低温下的变程跳跃导电的交叉。基底温度下的电场依赖性与一维变程跳跃导电一致。我们在填充因子 1 和 2 处观察到几乎相同的行为，并讨论了弯曲量子霍尔结的电导似乎如何独立于体自旋态。我们比较了各种包含或忽略相互作用的一维变程跳跃模型，所有模型均与无序耦合的反向传播量子霍尔边缘的基本模型一致。