跳跃电导区的霍尔电阻：一种“霍尔绝缘体”？
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
我们得到了低温、小磁场下强局域电子的霍尔电导率和电阻率。研究发现，结果取决于是对电导率张量还是电阻率张量取平均以获得宏观霍尔电阻率。在第二种情况下，霍尔电阻率总是随温度趋于零而{\it 指数发散}。但当霍尔电阻率由平均电导率导出时，其温度依赖性对无序构型敏感。此时霍尔电阻率可能在时趋于常数。这就是霍尔绝缘体行为。我们认为，在严格的直流条件下，应被平均的输运量是电阻率。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9504005,
title = {Hall resistance in the hopping regime, a "Hall Insulator"?},
author = {O. Entin-Wohlman and A. G. Aronov and Y. Levinson and Y. Imry},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9504005},
year = {2009}
}
备注
Latex