石墨hene中非常规场和温度依赖的霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2 材料科学
摘要
我们计算了无掺杂和掺杂(或电压栅)石墨hene的经典霍尔电导率和迁移率，作为温度、磁场和载流子浓度的函数。载流子与缺陷和声学声子的碰撞被考虑在内。霍尔电阻随温度几乎线性变化。磁场对电阻和迁移率的依赖在弱磁场下异常。在电阻中存在平方根贡献。对于低掺杂，霍尔迁移率随场呈对数发散。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611147,
title = {Unusual field and temperature dependence of Hall effect in graphene},
author = {L. A. Falkovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611147},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures, typos corrected