门控石墨烯中电导率的电压和温度依赖性
材料科学
2007-12-29 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究探讨了门控石墨烯的电阻率，考虑了电子和空穴由短程和长程结构缺陷引起的散射（无序特征取自扫描隧道显微镜数据）以及由声子引起的散射。计算基于准经典动力学方程，其归一化条件由表面电荷固定。研究发现，对本征电导率点为中心的电阻峰值的门电压效应和温度效应与输运测量结果一致。
引用
@article{arxiv.0708.2976,
title = {Voltage and temperature dependencies of conductivity in gated graphene},
author = {F. T. Vasko and V. Ryzhii},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2976},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 Figs