金属氧化物界面场诱导电阻开关
超导电性
2009-11-10 v1
摘要
我们研究了准分子氧化物中由电脉冲驱动的极性依赖场诱导电阻开关现象。我们的数据表明，开关是限于沉积金属电极与氧化物之间界面层的常见现象。通过阻抗光谱，我们确定界面层厚度不超过 10 nm，且开关伴随电荷积聚导致的电容量小幅增加。基于界面 I-V 表征和测量电阻随温度变化的特性，我们提出场创建晶格缺陷机制驱动了开关，而该机制可用于器件控制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402687,
title = {Field-Induced Resistive Switching in Metal-Oxide Interfaces},
author = {S. Tsui and A. Baikalov and J. Cmaidalka and Y. Y. Sun and Y. Q. Wang and Y. Y. Xue and C. W. Chu and L. Chen and A. J. Jacobson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402687},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures