具有氧缺陷的 SnO$_2$ 薄膜的结构、光学性质及电输运过程
材料科学
2014-02-11 v1
摘要
系统研究了在不同氧分压下通过射频溅射法制备的 SnO 薄膜的结构、光学及电输运性质。研究发现，SnO 薄膜的择优生长取向与沉积过程中的氧分压密切相关，这为调控 SnO 薄膜的表面织构提供了一种有效途径。所有薄膜在可见光范围内均表现出较高的透明度，且透过率和光学带隙均随氧分压的增加而增大。测量了从 380 K 降至液氦温度范围内的电阻率温度依赖性。在高于 K 的温度下，除了最近邻跳跃过程外，与氧空位的两个施主能级（位于导带底下方 和 meV 处）相关的热激活过程也对电荷输运性质负责。在低于 K 时，Mott 变程跳跃导电过程主导较高温度下的电荷输运性质，而 Efros-Shklovskii 变程跳跃导电过程则主导较低温度下的输运性质。在所有 SnO 薄膜中，均观察到在几开尔文至几十开尔文范围内从 Mott 型到 Efros-Shklovskii 型变程跳跃导电过程的明显交叉。
引用
@article{arxiv.1302.1075,
title = {Structures, optical properties, and electrical transport processes of SnO$_2$ films with oxygen deficiencies},
author = {Yu-Chen Ji and Hua-Xing Zhang and Xing-Huang Zhang and Zhi-Qing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1075},
year = {2014}
}
备注
6 pages and 7 figures