三维互连银纳米线中的忆阻与隧穿效应
介观与纳米尺度物理
2023-02-15 v1
摘要
由于其忆阻特性，纳米线网络在神经形态计算应用中极具前景。事实上，此类体系的电阻可随输入电压或电流演化，从而赋予器件突触行为。在此，我们提出一种银纳米线（Ag-NWs）网络，其通过电沉积在具有互连纳米孔的纳米多孔膜中生长而成。这种自下而上的制备方法给出了一个具有三维结构和高银纳米线密度的导电网络。所得三维互连 Ag-NW 网络表现出高初始电阻以及忆阻行为。这预期源于 Ag-NW 网络内部导电银细丝的形成与破坏。此外，在经过若干次测量循环后，该网络的电阻从 GOhm 量级、具有隧穿导电的高阻态切换至 kOhm 量级的低阻态。
引用
@article{arxiv.2207.06338,
title = {Memristive and tunneling effects in 3D interconnected silver nanowires},
author = {Chloé Chopin and Simon De Wergifosse and Nicolas Marchal and Pascal Van Velthem and Luc Piraux and Flavio Abreu Araujo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.06338},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 5 figures