基于 Gibbs-Thomson 效应的银纳米线网络图案化
系统与控制
2025-03-04 v1 系统与控制
摘要
作为透明电极，图案化的银纳米线 (AgNW) 网络在实际应用中（如显示器）常常出现明显的图案可见性，这是一尚未解决的问题。我们引入一种基于 Gibbs-Thomson 效应 (GTE) 的图案化方法，以有效减少图案的可见性。不同于常规的自上而下或自下而上的策略，这些策略依赖于选择性刻蚀、移除或沉积 AgNW，我们的方法侧重于在纳米线的接点处进行碎片化。这通过修改 AgNW，使其与二苯苯硝酸盐和银硝酸盐的化合物结合，聚集到纳米线接点的纳米粒子中来实现。这些纳米粒子可以在 75{\deg}C 的超低温下下提升纳米线在接点处的碎片化，允许通过光刻掩模操作实现图案传递，并在 UV 曝光期间增强等离子体焊接。结果图案化的电极在导电区域和绝缘区域之间的可见性差异仅为 T({\Delta}T = 1.4%) 和 haze({\Delta}H = 0.3)，且可实现直至 10 {\mu}m 的高分辨率图案化。为了演示这种新方法的实用性，我们构建了一个高度透明、光电学交互式触觉 e-skin，使用图案化的 AgNW 电极。
引用
@article{arxiv.2503.01549,
title = {Patterning Silver Nanowire Network via the Gibbs-Thomson Effect},
author = {Hongteng Wang and Haichuan Li and Yijia Xin and Weizhen Chen and Haogen Liu and Ying Chen and Yaofei Chen and Lei Chen and Yunhan Luo and Zhe Chen and Gui-Shi Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.01549},
year = {2025}
}