电容型薄膜热流开关器件
应用物理
2021-12-15 v1 材料科学
摘要
我们开发了一种电容型热流开关器件，其中电极的电子热导率通过由外加偏置电压变化的载流子浓度进行主动控制。该器件由非晶 p 型 Si-Ge-Au 合金层、作为介电层的非晶 SiO 以及 n 型 Si 衬底组成。两种非晶材料的晶格热导率均极低，小于 1 Wm-1K-1。在 Si 衬底顶表面形成的 100 nm 厚 SiO 层上，通过分子束沉积技术沉积了厚度为 40 nm 的 Si-Ge-Au 非晶层。利用时域热反射法在室温下评估了所制备器件的偏置电压相关热导率和热流密度。结果，我们观察到热导率增加了 55%。
引用
@article{arxiv.2103.11573,
title = {Capacitor Type Thin-Film Heat Flow Switching Device},
author = {Keisuke Hirata and Takuya Matsunaga and Saurabh Singh and Masaharu Matsunami and Tsunehiro Takeuchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.11573},
year = {2021}
}
备注
27 pages, 6 figures