a-Si:H 及其合金用于光受体器件的应用
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
制造了用于正电荷腐蚀的多层结构光受体器件，结构为玻璃/ZnO /i-a-SiC:H /i-a-Si:H /p-a-SiC:H /Al，采用双腔等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统。10% 硅烷 (SiH4) 和二硼烷 (B2H6) 气体稀释于氢 (H2) 中，以及 100% 甲烷 (CH4) 气体作为气源。作为顶层掩膜层，采用光带隙为 2.93 eV 的 i 型 a-SiC:H。选择该最高光带隙是为了允许更多光通过光导层。光导层采用光带隙为 1.78 eV 的 i 型 a-Si:H。还测量了 p 型 a-SiC:H 薄膜的导电性。选用电导性最低的 p 型 a-SiC:H 薄膜作为底层阻挡层，以防止电荷从光导层注入到导电电极中。还研究了器件的表面电压特性，其随时间衰减，最大施加表面电压为 120 伏特。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107330,
title = {Application a-Si:H and Its Alloys for Photoreceptor Devices},
author = {Darsikin and D. M. Jasruddin and H. Saragih and D. Rusdiana and Sukirno and T. Winata and M. Barmawi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107330},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 2 figures, 1 table