Al/Si 光电二极管作为红外感应器的光谱响应
凝聚态物理
2019-08-17 v1
摘要
通过在真空中采用共沉淀法将铝薄膜依次沉积于 p型硅 (100)单晶上制备了 Al/Si 光电二极管。测得的信号归因于所研究光电二极管的光谱响应。该光电二极管对波长范围为 800至 1000 nm 的红外光具有较高灵敏度，照射条件为在 200 Hz 切割频率下使用不连续光。光谱响应分布显示灵敏度峰值出现在交流模式下测量时最为明显。峰值位于 981 nm，入射辐射功率为 25 微瓦/cm²，电流信号为 12.2 纳安培，量子效率为 6.16%，电流灵敏度为 0.488 纳安培/微瓦/cm²。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107213,
title = {Spectral Response of Al/Si Photodiode as IR Sensor},
author = {Irzaman and A. Fuad and D. Rusdiana and H. Saragih and T. Saragi and M. Barmawi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107213},
year = {2019}
}
备注
3 pages, 4 figures, Indonesian German Conference, Bandung, Indonesia, July 11-13, 2001