AI增强的光子 traps 光谱仪器 on-a-chip 硅平台上实现近红外扩展灵敏度
光学
2025-08-26 v2 信号处理
计算物理
摘要
我们提出一种紧凑型、抗噪声的重构式光谱盘片仪器,实现对扩展近红外(NIR)范围内高分辨率的高光谱成像,最高达到1100nm。该装置集成了单晶硅光电二极管,增强了光子 traps 表面纹理(PTST),实现对低吸收NIR区的提高灵敏度。利用完全连接的神经网络,我们演示了仅用16个唯一 engineered 检测器即可实现640nm至1100nm范围内<0.05 RMSE和8nm分辨率的准确光谱重构。我们的系统在性能上超过传统光谱仪器,即使加入40dB的检测噪声,仍保持信噪比高于30dB;将功能扩展到更长的波长1100nm,而传统光谱仪器由于检测器效率低和噪声性能差,无法在950nm以上正常工作。该AI增强的硅光谱仪器具有0.4mm2的占面积、50dB的动态范围、57ps的超快时响应和>7000的高光电二极管增益,非常适用于便携式、实时、低光环境下的生物医学成像、环境监测和遥感应用。这些结果为向完全集成的高性能光谱 sensing 在CMOS兼容平台上迈进了一步。
引用
@article{arxiv.2508.13521,
title = {AI-Augmented Photon-Trapping Spectrometer-on-a-Chip on Silicon Platform with Extended Near-Infrared Sensitivity},
author = {Ahasan Ahamed and Htet Myat and Amita Rawat and Lisa N McPhillips and M Saif Islam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.13521},
year = {2025}
}
备注
Article: 24 pages, 8 figures, 1 table Supplementary: 8 pages, 6 figures, 1 table Submitted to Advanced Photonics (SPIE), currently under review