高效且电学鲁棒的碳离子辐照 SI-GaAs 基光导太赫兹发射器
材料科学
2014-03-05 v1
摘要
我们在此展示了一种低功耗的高效太赫兹源。我们将基于半绝缘砷化镓 (SI-GaAs) 的光导发射器发射的最大太赫兹辐射功率提高了两个数量级。通过将碳离子辐照至 SI-GaAs 衬底深处达 2 微米，我们产生了大量缺陷并降低了衬底内光生载流子的寿命。根据辐照剂量的不同，我们发现流经衬底的总电流降低了 1 到 2 个数量级，从而随后减少了天线中的热耗散。这使得施加在光导发射器 (PCE) 电极上的最大截止电压从约 35 V 提高到超过 150 V（针对 25 微米电极间距），从而在不发生热击穿的情况下运行器件。在最佳工作条件下，碳离子辐照 ( ions/cm) 的 PCE 产生的太赫兹脉冲功率比常规 SI-GaAs 基 PCE 高出约 100 倍，电至太赫兹功率转换效率提高了约 800 倍。
引用
@article{arxiv.1310.1550,
title = {Highly Efficient and Electrically Robust Carbon Irradiated SI-GaAs Based Photoconductive THz Emitters},
author = {Abhishek Singh and Sanjoy Pal and Harshad Surdi and S. S. Prabhu and Vandana Nanal and R. G. Pillay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.1550},
year = {2014}
}