基于Ge-on-Si的互脉极光导天线的太赫兹辐射
光学
2026-01-13 v2
摘要
设计了一种用于太赫兹（THz）辐射的互脉极光导天线（i-PCA），采用新型金属-绝缘-半导体界面结构，旨在开发紧凑且可扩展的THz器件。光导材料为采用直流磁撒射法沉积的非晶德氏胶（Ge）薄膜，天线电极由金属-德氏胶（AuGe）组成。集成充当电气掩模的硅氧化物（SiO2）层，可实现大面积i-PCA的简单制造工艺。相较于现有设计，本方法简化了制造流程，提高了发射器的电气鲁棒性，减少了器件中非活跃区域的间隙面积。该i-PCA能够实现最高2.5 THz的太赫兹辐射和36 dB的信噪比（SNR），在CMOS技术中具有广阔的应用前景。
引用
@article{arxiv.2512.03820,
title = {Terahertz emission from interdigitated photoconductive antennas based on Ge-on-Si},
author = {Dhanashree Chemate and Abhishek Singh and Ruturaj Puranik and Utkarsh Pandey and Dipti Gupta and Siddhartha P. Duttagupta and Shriganesh S. Prabhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.03820},
year = {2026}
}
备注
13 pages, 7 figures