利用p-i-n多层石墨烯结构进行太赫兹和红外光电探测
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
我们提出利用具有横向p-i-n结的多层石墨烯结构进行太赫兹(THz)和红外(IR)光电探测，并验证了基于这些结构的光电探测器的工作性能。利用所建立的器件模型，我们计算了探测器直流响应度和探测率随石墨烯层数和几何参数的变化关系，结果表明，直流响应度和探测率可以相当大，特别是在室温下太赫兹波段的低频端。由于相对较高的量子效率和较低的热产生率，所研究的光电探测器可以显著超越其他太赫兹和红外探测器。对探测器响应度随太赫兹和红外辐射调制频率变化的计算表明，所提出的光电探测器速度非常快，可以在几十GHz的调制频率下工作。
引用
@article{arxiv.0912.0339,
title = {Terahertz and Infrared Photodetection using p-i-n Multiple-Graphene-Layer Structures},
author = {V. Ryzhii and M. Ryzhii and V. Mitin and T. Otsuji},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.0339},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures