用于光导太赫兹探测的碳离子辐照 SI-GaAs
材料科学
2015-06-22 v1 光学
摘要
我们报道了一种用于太赫兹产生和探测的光导材料，该材料通过对商用半绝缘 (SI) GaAs 进行 C12（碳）离子辐照制成，具有亚皮秒载流子寿命。通过以不同剂量的碳 (C12) 离子辐照 SI-GaAs，我们能够将其载流子寿命降低至亚皮秒量级。随着辐照剂量从约 10^12 /cm²增加到约 10^15 /cm²，SI-GaAs 的载流子寿命单调递减至 0.55 皮秒，从而相比普通 SI-GaAs 显著改善了太赫兹脉冲探测性能。
引用
@article{arxiv.1409.5940,
title = {Carbon Irradiated SI-GaAs for Photoconductive THz Detection},
author = {Abhishek Singh and Sanjoy Pal and Harshad Surdi and S. S. Prabhu and Mathimalar S. and Vandana Nanal and R. G. Pillay and G. H. Dohler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.5940},
year = {2015}
}