光学泵浦在第二间接跃迁上下时硅的瞬态太赫兹电导率
光学
2017-01-24 v2 其他凝聚态物理
强关联电子
摘要
本文进行了一系列时间分辨实验，其中100 fs的泵浦脉冲在528 nm至555 nm之间调谐，跨越本征硅在约540 nm处的第二间接带隙，该带隙涉及在L点具有极小值的较高导带中的电子。在带间和带内弛豫完成后，随后使用高场单周期太赫兹辐射探测光注入载流子。当泵浦脉冲能量超过第二间接带隙时，探测到的太赫兹吸收降低了2.70.2倍。我们认为，这种显著变化可能是由于载流子经历从L到X的带间散射，而非仅在X谷内冷却，从而获得了不同的声子布居。
引用
@article{arxiv.1608.01759,
title = {Transient THz conductivity of silicon with optical pumping above and below the second indirect transition},
author = {Fabio Novelli and Jeffrey A Davis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01759},
year = {2017}
}