绝缘体上硅中双极扩散的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
通过测量由调谐至带隙以下的探测脉冲引起的自由载流子吸收所产生的微分透射，研究了绝缘体上硅（SOI）结构中由间接带间吸收局部激发的电子 - 空穴对的时空动力学，时间分辨率为 200 fs，空间分辨率为 3 m。在 250 K 至 400 K 的样品温度范围内，双极扩散系数降低，且与报道的体硅数值相似。将样品从 250 K 冷却至 90 K 时，观察到双极扩散系数下降，表明缺陷和残余应力对载流子扩散有重要影响。未观察到双极扩散系数有明显的密度依赖性。
引用
@article{arxiv.0806.3900,
title = {Temperature dependence of ambipolar diffusion in silicon-on-insulator},
author = {Hui Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.3900},
year = {2009}
}