快速退火对反型层中杂质分布和电子结构的影响
材料科学
2014-09-25 v1
摘要
利用角分辨光电子能谱(ARPES)研究了强能带弯曲下的空穴子带结构，例如Si(111)上的Pb和Si(111)上的In。指示反型层中量子化能级的空穴子带结构的能级强烈依赖于能带弯曲形状，而能带弯曲形状可以通过衬底的杂质浓度来控制。同时，还观察到子带能量间隔的实验结果与计算结果之间存在差异。在本研究中，我们旨在阐明快速退火与杂质浓度以及空穴子带之间的关系。结果表明，通过二次离子质谱(SIMS)和我们的扩散模型发现，1250度的高温快速退火对次表层区域的杂质浓度有显著影响。这种效应改变了能带弯曲形状和子带能量间隔。此外，还揭示了当快速退火温度低于900度时，杂质分布的减少受到抑制。
引用
@article{arxiv.1409.7043,
title = {Effect of the flash annealing on the impurity distribution and the electronic structure in the inversion layer},
author = {Tomohiro Sakata and Sakura N Takeda and Makoto Morita and Nur I Ayob and Hiroki Tabata and Hironori Matsuoka and Hiroshi Daimon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.7043},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 8 figures