高温退火后InP半导体晶片光学反射的降低
材料科学
2011-12-23 v1 光学
摘要
我们观察并研究了高温退火后InP晶片表面光学反射的强烈降低。该效应在很宽的入射波长范围内被观察到，并且在材料的透明波段中伴随着透射率的增加。通过改变退火温度和退火时间，反射系数最小值（几乎为零）的光谱位置可以在0.5至6 eV的光谱范围内进行调谐。该效应通过形成均匀的氧化层来解释，其参数（厚度和平均折射率）通过详细建模进行估算。
引用
@article{arxiv.1112.5398,
title = {Reduction of optical reflection from InP semiconductor wafers after high-temperature annealing},
author = {Oleg G. Semyonov and Arsen V. Subashiev and Alexander Shabalov and Nadia Lifshitz and Zhichao Chen and Takashi Hosoda and Serge Luryi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5398},
year = {2011}
}
备注
20 pages, 11 figures, submitted to Journal of Applied physics