不同缓冲层对硅上生长的InGaN层质量的影响
应用物理
2019-08-30 v1 材料科学
摘要
本研究考察了四种不同类型缓冲层对生长在Si(111)衬底上的InGaN层结构与光学性质的影响，及其与电学特性的关联。分析了In组分接近46%（理论上可实现能带对齐）的n-InGaN/缓冲层/p-Si异质结构的垂直电导。首次成功采用自由基束辐照消除液滴的方法在Si衬底上生长出高质量InGaN薄膜。在多种缓冲层选择中，厚度大于24 nm的AlN缓冲层在保持自上而下欧姆特性的同时，改善了InGaN外延层的结构与光学质量。这些结果将使得无需在两子电池间使用隧穿结即可制备双结InGaN/Si太阳能电池，从而简化器件设计。
引用
@article{arxiv.1908.11175,
title = {Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si},
author = {V. J. Gómez and J. Grandal and A. Núñez-Cascajero and F. B. Naranjo and M. Varela and M. A. Sánchez-García and E. Calleja},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11175},
year = {2019}
}