表面活性剂锑增强InGaN(000-1)表面铟掺入：一项DFT研究
材料科学
2016-02-03 v2
摘要
InGaN因其可调带隙而成为光电器件的理想合金系统。然而，高质量的InGaN需要高In浓度，这是一个限制其在绿光LED及其他器件中应用的挑战性问题。本文中，我们通过第一性原理方法研究了Sb对InGaN(000-1)表面In掺入的表面活性剂效应。我们还构建了表面相图以确定不同生长条件下的表面结构。通过分析不同结构下的表面应力，我们发现Sb吸附原子可以在阳离子层中诱导拉伸位点，从而增强In的掺入。这些发现可能为高In浓度InGaN的生长提供基础性理解和指导。
引用
@article{arxiv.1509.01689,
title = {Surfactant Antimony enhanced Indium incorporation on InGaN (000-1) surface: a DFT study},
author = {Yiou Zhang and Junyi Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01689},
year = {2016}
}