等离子体辅助分子束外延生长InAlN合金的综合相图
应用物理
2024-02-01 v1 材料科学
摘要
研究了在450-610C范围内，通过等离子体辅助分子束外延在(0001)GaN上生长的InAlN层的In掺入和表面形貌与入射In通量和衬底温度的函数关系。发现In掺入随衬底温度升高而减少，这是由于生长层的热分解所致，而在给定温度下，In掺入随入射In通量增加而增加，直至生长前沿达到化学计量比。生长过程中的InN损失遵循Arrhenius行为，其特征活化能为2.0 eV。建立了一个对确定最佳生长条件极具指导意义的生长相图。
引用
@article{arxiv.2401.17340,
title = {A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy},
author = {S. Fernández-Garrido and Ž. Gačević and E. Calleja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.17340},
year = {2024}
}