等离子体辅助分子束外延中 In(Ga)N 材料的液滴控制生长动力学
材料科学
2017-12-04 v2
摘要
我们研究了在低温（T = 450{\deg}C）下，通过等离子体辅助分子束外延（PAMBE）生长 InGaN 时金属液滴形成对生长动力学的影响。我们发现，生长表面上液滴的存在强烈影响吸附原子并入动力学，使得一旦金属剂量超过液滴成核所需的临界量，生长速率就成为撞击表面总金属通量的递减函数。我们通过一个考虑液滴对金属吸附原子并入晶体影响的模型解释了该现象。在液滴下方由于氮分子直接撞击液滴而发生的气-液-固生长模式起到了相关作用。
引用
@article{arxiv.1711.10714,
title = {Droplet Controlled Growth Dynamics in Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In(Ga)N Materials},
author = {Mani Azadmand and Luca Barabani and Sergio Bietti and Daniel Chrastina and Emiliano Bonera and Maurizio Acciarri and Alexey Fedorov and Shiro Tsukamoto and Richard Nötzel and Stefano Sanguinetti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10714},
year = {2017}
}
备注
14 pages, 4 figures