利用金属调制外延 (MME) 控制 InGaAs 晶面
材料科学
2023-05-03 v1
摘要
外延生长过程中的晶面控制对于纳米器件至关重要。本研究确定了在图案化特征附近再生生长 InGaAs 时产生间隙和不同晶面的起源。在 SiO2 或 SiNx 附近进行的分子束外延 (MBE) 会导致间隙、粗糙度或多晶生长，而金属调制外延 (MME) 则产生了平滑且无间隙的“涨潮式”(001) 生长，填充至掩模处。由此产生的自对准场效应晶体管 (FET) 主要受 FET 沟道电阻主导，而非源漏接入电阻。较高的 As 通量首先导致共形生长，随后形成远离掩模向上倾斜的显著{111}晶面。
引用
@article{arxiv.1408.3714,
title = {Control of InGaAs facets using metal modulation epitaxy (MME)},
author = {Mark A. Wistey and Ashish K. Baraskar and Uttam Singisetti and Greg J. Burek and Byungha Shin and Eunji Kim and Paul C. McIntyre and Arthur C. Gossard and Mark J. W. Rodwell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3714},
year = {2023}
}
备注
18 pages, 7 figures