等离子体辅助分子束外延生长InN中的铟空位
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
作者应用正电子湮没谱学研究了不同生长条件对等离子体辅助分子束外延生长的In极性和N极性InN中空位形成的影响。结果表明，材料的结构质量和生长过程中表面吸附原子的有限扩散决定了低电子密度非掺杂外延InN中铟空位的形成，而生长条件和热力学的作用较小，这与在例如GaN中观察到的现象相反。此外，结果表明，在高质量InN中，电子迁移率的限制可能并非来自电离点缺陷散射，而是来自穿透位错。
引用
@article{arxiv.1010.0571,
title = {In vacancies in InN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy},
author = {Floris Reurings and Filip Tuomisto and Chad S. Gallinat and Gregor Koblmüller and James S. Speck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0571},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 2 figures