利用MBE无催化剂选择性区域生长InN纳米柱
材料科学
2009-05-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
展示了利用等离子体辅助分子束外延选择性区域生长InN纳米棒。发现钼是适合InN纳米柱生长所需低温（475°C）衬底的掩模材料。通过使用带有小于60纳米孔的薄钼掩模进行光刻图案化，在Si(111)衬底上实现了单纳米棒阵列的生长。
引用
@article{arxiv.0905.3133,
title = {Catalyst-free selective area growth of InN nanocolumns by MBE},
author = {C. Denker and J. Malindretos and B. Landgraf and A. Rizzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3133},
year = {2009}
}