衬底温度对氮化铟镓纳米柱晶体生长的影响
材料科学
2012-03-06 v1 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
采用等离子体增强蒸发法在非晶 SiO 衬底上沉积了具有纳米柱状微结构的氮化铟镓薄膜，并改变了铟含量和衬底温度。给出了 FESEM 和 XRD 结果，表明在较低的铟组分下可以制备出更具结晶性的纳米柱状微结构。发现纳米柱直径和堆积因子（空隙率）高度依赖于衬底温度，在较低的衬底温度下观察到更细且更紧密堆积的纳米柱。
引用
@article{arxiv.1203.0645,
title = {Effects of Substrate Temperature on Indium Gallium Nitride Nanocolumn Crystal Growth},
author = {S. Keating and M. G. Urquhart and D. V. P. McLaughlin and J. M. Pearce},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.0645},
year = {2012}
}