工艺因素影响下低温二氧化硅薄膜的改性
材料科学
2017-08-03 v1
摘要
研究了低温二氧化硅薄膜在离子注入、激光辐照、热退火和光子退火等多种工艺因素影响下的结构、组成和电物理特性。二氧化硅薄膜通过等离子体化学法氧化甲硅烷、反应阴极溅射和正硅酸乙酯热解法制备。衬底采用锗、硅、砷化镓和氮化镓。利用红外透射光谱和衰减全反射光谱分析了介质薄膜的结构和组成。根据衬底类型、薄膜结构和性质、透湿性、介质沉积技术、注入离子类型和剂量、退火温度和方式，分析了低温二氧化硅薄膜的改性效率。
引用
@article{arxiv.1708.00648,
title = {Modification of low-temperature silicon dioxide films under the influence of technology factors},
author = {B. I. Seleznev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.00648},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 14 references