射出氢化无定形硅薄膜的结构与光学特性
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
本工作主要关注通过射出制备的氢化无定形硅薄膜 (a-Si:H) 的光学和结构特性。我们分别考察了氢分部压力在薄膜沉积期间的影响，以及热退火后对薄层主要光学特征（如折射指数、光学带隙和乌尔贝克能）的影响。使用 grazing X 射线反射率技术，我们在薄膜沉积后以及表面氧化或退火后检查薄膜的结构特性。我们表明，低氢压允许薄膜中悬垂键的饱和，而高剂量导致新缺陷的创建。我们还表明，适度温度下的热退火可改善所沉积薄膜的结构质量。对于沉积后立即检查的薄膜，氢的作用在其密度方面发挥作用。对于在环境中短时间内分析的薄膜，氢发挥保护其表面免受氧化的作用。这种作用在长时间暴露于环境后消失。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208601,
title = {On the Structural and Optical Properties of Sputtered Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films},
author = {A. Barhdadi and M. Chafik El Idrissi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208601},
year = {2007}
}
备注
14 figures, 2 tables, 50 references