用于高性能电子与光电子的无催化剂生长原子级薄 Bi2O2Se 纳米带
材料科学
2021-04-06 v1
摘要
一维 (1D) 材料因其独特的量子限域效应和与边缘相关的性质引起了显著的研究兴趣。原子级薄的一维纳米带尤其有趣，因为它是一个在厚度和宽度上均达到物理极限的宝贵平台。在此，我们开发了一种无催化剂生长方法，并实现了具有可调维度的 Bi2O2Se 纳米结构的生长。重要的是，厚度低至 0.65 nm（对应于单层）的 Bi2O2Se 纳米带首次被成功生长。电学和光电子测量表明，Bi2O2Se 纳米带在迁移率、开关比和光响应度方面具有不错的性能，暗示其在器件中的应用前景。该工作不仅报道了一种用于生长原子级薄纳米带的新方法，还提供了一个在厚度极限下研究此类纳米带材料性质与应用的平台。
引用
@article{arxiv.2104.01898,
title = {Catalyst-Free Growth of Atomically-thin Bi2O2Se Nanoribbons for High-performance Electronics and Optoelectronics},
author = {Usman Khan and Lei Tang and Baofu Ding and Yuting Luo and Simin Feng and Wenjun Chen and Muhammad Jahangir Khan and Bilu Liu and Hui-Ming Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.01898},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 4 figures