嵌入石墨烯-WSe2异质结构中的可调原子级宽度静电势垒
介观与纳米尺度物理
2023-10-31 v1 材料科学
摘要
在二维（2D）量子材料中诱导并控制静电势垒已展现出调控载流子的巨大潜力，是实现纳米级电子与光电子器件的关键。由于其原子级薄的特性，二维材料在构建最薄的p-n结方面具有先天优势。为实现未来纳米器件的终极功能单元，在二维材料中创建嵌入的原子级宽度静电势垒备受期待，且仍是一项极大挑战。本文报道了在石墨烯-WSe2异质结构中创建并操控原子级宽度静电势垒。利用扫描隧道显微镜（STM）针尖，我们展示了在1T-WSe2畴之间生成一维（1D）原子级宽度边界，并因1T-WSe2的铁弹性而连续调控该边界位置的能力。我们的实验表明，该一维边界在其上方的石墨烯中引入了原子级宽度的静电势垒。随后，该一维静电势垒将一个单一的石墨烯-WSe2异质结构量子点从相对论人工原子转变为相对论人工分子。
引用
@article{arxiv.2310.19238,
title = {Tunable Atomically Wide Electrostatic Barriers Embedded in a Graphene WSe2 Heterostructure},
author = {Hui-Ying Ren and Yue Mao and Ya-Ning Ren and Qing-Feng Sun and Lin He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19238},
year = {2023}
}