生长动力学对自组装 InAs/InP 量子点影响
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过改变生长动力学参数，演示了对MOVPE生长的InAs/InP量子点形貌和光发射性质进行系统性调控。在较高的生长速率和较低的生长温度下的非平衡条件下，量子点密度、其平均尺寸以及因此而决定的峰发射波长，都可以通过改变表面扩散效率（由生长温度决定）相对于生长通量的效率来进行调节。我们进一步观察到，对于在不同生长条件下生长的样品，其量子点高度分布（归一化到平均高度后）几乎可以折叠到单一的高斯曲线上。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506648,
title = {Growth kinetics effects on self-assembled InAs/InP quantum dots},
author = {Bhavtosh Bansal and M. R. Gokhale and Arnab Bhattacharya and B. M. Arora},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506648},
year = {2007}
}
备注
2 figures