利用液滴外延在 InP(111)A 上实现对称 InAs 量子点波长扩展至 1.5 微米以上
材料科学
2016-09-28 v1
摘要
通过使用具有 C₃ᵥ 对称性的 (111) 表面作为生长衬底，我们能够在自组装量子点中实现高结构对称性，使其适用于量子纠缠光子发射器。在此，我们报道了 InP(111)A 上 InAs 量子点的波长可控性，通过调节与 InP 晶格匹配的 In(Al,Ga)As 势垒的三元合金组分得以实现。我们通过势垒带隙调控，将峰值发射波长从 1.3 微米系统地改变至 1.7 微米。观测到的光谱移动与数值模拟结果一致，该模拟假设测量的形状分布与势垒选择无关。
引用
@article{arxiv.1607.06859,
title = {Wavelength extension beyond 1.5 micrometer in symmetric InAs quantum dots on InP(111)A using droplet epitaxy},
author = {N. Ha and T. Mano and Y. -N. Wu and Y. -W. Ou and S. -J. Cheng and Y. Sakuma and K. Sakoda and T. Kuroda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.06859},
year = {2016}
}