面向电信波长的未加掩模量子点：逼近变换极限线宽

在电信 C 波段（1530-1565 纳米）上运行的高度相干量子发射器至关重要，这一波段的光纤和光子电路具有极低的损耗，是可扩展量子技术发展的关键。在本工作中，我们报告了使用化学束外生长方案，以实现高品质 InAs/InP 量子点，其表现出接近变换极限线宽（$\Gamma_{\mathrm{TL}}$）的特征。我们展示了高度对称量子点的生长，其横截面比例大于 0.8，密度范围为 2 到 22 $\mu$m$^{-2}$。对这些源的光学表征显示，精细结构分裂可降至 $25\pm4\,\mu$eV，单光子纯净度为 $g^{(2)}(0) = 0.012\pm\mathrm{0.007}$，确认了这些量子点的质量。进一步地，借助色差计测量线宽并结合严格建模，我们发现平均低功率线宽仅为 $12.1\pm 6.7\,\Gamma_\mathrm{TL}$，在最佳情况下为 $2.8\pm 1.8\,\Gamma_\mathrm{TL}$。这些结果代表了在开发电信波长量子光源的重要进展，这些光源是复杂量子网络和器件的必备品。