InGaN肖特基太阳能电池的数值模拟
光学
2016-08-08 v1 材料科学
摘要
氮化铟镓(InGaN) III-氮化物三元合金具有通过改变铟组分调节其带隙以实现高效率太阳能电池的潜力。它的优势还包括相对较低的有效质量、高载流子迁移率、高吸收系数以及良好的抗辐射性能。然而，InGaN的主要缺点与其p型掺杂有关，该掺杂难以高质量生长且难以制备欧姆接触。肖特基太阳能电池是避免InGaN p型掺杂的良好替代方案。在本报告中，采用基于先进优化算法的数学上严谨的优化方法进行了全面的数值模拟，以在可实现的器件制备范围内找到产生最佳效率的肖特基太阳能电池的最佳几何和物理参数。预测这种新型InGaN太阳能电池设计的效率为18.2%。
引用
@article{arxiv.1601.05951,
title = {Numerical simulation of InGaN Schottky solar cell},
author = {Sidi Ould Saad Hamady and Adaine Abdoulwahab and Nicolas Fressengeas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05951},
year = {2016}
}