面向全球领先电信的肖特基二极管设计
材料科学
2021-01-29 v1
摘要
肖特基二极管，即与块体铝接触的BN/GaN层状复合材料，在理论上能够收集X波段以上的无线能量。根据我们的第一性原理计算，GaN层的插入显著影响了层状复合材料的光学性质。我们研究了BN/GaN层状复合材料的相对介电常数随层间间距的变化关系，其中优化后的介电常数为3.1。此外，我们通过纳米结构化设计了另一种肖特基二极管。第一性原理计算表明，仅当氮化硼单层沉积在铝单层上时，其相对介电常数可降至1.5。具有接近1的介电常数的半导体极为罕见，这可能将基于Al/BN的整流天线的截止频率推至高波段5G网络。
引用
@article{arxiv.2101.11937,
title = {Schottky-diode design for the world's leading telecommunication},
author = {Chi Ho Wong and Frank Leung Yuk Lam and Xijun Hu and Anatoly Fedorovich Zatsepin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.11937},
year = {2021}
}